HBM4 Resmi Diproduksi Massal, Samsung Klaim Performa Tembus 3,3 TB/s

Jumat 13-02-2026,13:30 WIB
Reporter : Ros Diana
Editor : Ros Diana

PRABUMULIHPOS.CO - Samsung Electronics resmi memulai pengiriman perdana memori HBM4 (High Bandwidth Memory generasi keempat) kepada para pelanggannya. Perusahaan juga mengonfirmasi bahwa produksi massal standar terbaru ini telah dimulai, menandai langkah penting dalam evolusi memori berperforma tinggi untuk kebutuhan AI dan komputasi intensif.

Performa Tembus 11,7Gbps per Pin

HBM4 terbaru Samsung diproduksi menggunakan proses DRAM kelas 10nm generasi keenam yang disebut “1c”. Untuk bagian logic base die, Samsung mengadopsi proses fabrikasi 4nm demi meningkatkan performa keseluruhan.

Secara teknis, HBM4 mampu menghadirkan kecepatan hingga 11,7Gbps per pin, melampaui standar industri saat ini yang berada di angka 8Gbps. Dengan total 2.048 pin, bandwidth keseluruhan mencapai sekitar 3,3 terabyte per detik (TB/s) — meningkat 2,7 kali lipat dibandingkan generasi sebelumnya, HBM3E.

Sebagai catatan, saat proses standardisasi HBM4, JEDEC memutuskan untuk menurunkan bandwidth per pin dibanding HBM3E (9,6Gbps), tetapi menggandakan jumlah pin dari 1.024 menjadi 2.048. Strategi ini dirancang untuk meningkatkan efisiensi daya dan manajemen termal. Namun, Samsung berhasil melampaui target tersebut dengan performa 11,7Gbps per pin, bahkan membuka peluang peningkatan hingga 13Gbps di masa depan.

BACA JUGA:5 Inspirasi Pagar Roster yang Bikin Tampilan Rumah Makin Stylish

BACA JUGA:Well Service Dongkrak Produksi Sumur PBM-025 PEP Prabumulih Field hingga 205 BOPD

Kapasitas Lebih Besar, Pendinginan Lebih Efisien

Saat ini, HBM4 Samsung menggunakan teknologi stacking 12-layer dengan kapasitas mulai dari 24GB hingga 36GB. Ke depan, perusahaan membuka kemungkinan menghadirkan desain 16-layer dengan kapasitas maksimal 48GB, menyesuaikan kebutuhan pelanggan.

Samsung juga mengklaim peningkatan efisiensi daya hingga 40% berkat penggunaan low-voltage through-silicon vias (TSV) dan desain power distribution network terbaru. Dari sisi termal, hambatan panas dikurangi 10% dan kemampuan pembuangan panas meningkat 30% dibandingkan HBM3E.

Permintaan Diprediksi Melejit

Samsung memproyeksikan lonjakan permintaan signifikan terhadap produk memorinya sepanjang tahun ini. Perusahaan bahkan memperkirakan penjualan dapat meningkat hingga tiga kali lipat dibanding 2025. Untuk mengantisipasi lonjakan tersebut, kapasitas produksi HBM4 kini tengah diperluas.

HBM4E Siap Menyusul

Sebagai langkah berikutnya, Samsung akan mulai mengirimkan sampel HBM4E kepada pelanggan pada paruh kedua 2026. Pada tahun berikutnya, perusahaan juga berencana menyediakan sampel HBM kustom yang dirancang sesuai kebutuhan spesifik klien.

BACA JUGA:Laptop AI Terjangkau 2026: Pilihan Cerdas untuk Pelajar & Profesional Muda

Kategori :